Samsung готовит массовое производство 7-нм чипов

На этой неделе в сети появились слухи о том, что разработчики Samsung планируют запустить в массовое производство 7-нм чипы уже к 2018 году. На днях, в ходе мартовской международной конференции China Semiconductor Technology Conference (CSTIC) в Шанхае, представители компании Samsung официально подтвердили эту информацию. Кроме того, в рамках мероприятия сотрудники южнокорейского гиганта поделились подробностями относительно планов компании.

Вице-президент по технологиям Samsung Хо-Кью Кан полагает, что производители чипсетов столкнутся с трудностями при переходе на 10-нм техпроцесс, однако использование транзисторов GAA FET станет решением этой проблемы.

"Samsung будет использовать структуру GAA FET при запуске и наращивании производства 7-нм и 5-нм техпроцессов, - говорит вице-президент по технологиям Samsung Хо-Кью Кан. - Samsung также намеревается использовать фотолитографию в глубоком ультрафиолете (EUV)".

Читайте также: В ОАЭ построят первый в мире небоскреб при помощи 3D-печати

В ходе мероприятия представители компании отметили, что запуск 7-нм техпроцесса нацелен на разработку высокопроизводительных чипсетов, включающих поддержку искусственного интеллекта, серверы и продвинутые системы помощи водителям (ADAS), а также многое другое. Что касается перехода на 5-нм техпроцесс, то разработчики планируют приступить к реализации плана массового производства к 2020 году.

Представители компании Samsung также отметили стремительный рост китайских компаний, которые сфокусировали своё внимание на разработке приложений в сфере IoT. Принимая во внимание огромный потенциал продукции данного сегмента рынка, Samsung выпустила технологию FD-SOI в качестве недорогой альтернативы технологическому процессу FinFET, а также представила 28-нм полупроводники на FD-SOI пластинах специально для устройств IoT.