Регистрация Войти
Вход на сайт

На смену флеш-памяти идет терабайтный накопитель

12 октября 2014 14:24

На смену флеш-памяти идет терабайтный накопительУченые из Калифорнийского университета разработали технологию новых накопителей для мобильной электроники. Она найдет свое применение в смартфонах, планшетах, ноутбуках и цифровых камерах. 

В основе лежит резистивная память, позволяющая делать ячейки памяти очень маленькими. Она работает на высокой скорости и позволяет создавать накопители большего объема, чем на базе флеш-технологии, которая в настоящее время является промышленным стандартом. Для резистивной памяти обычен накопитель, емкость которого исчисляется в терабайтах, а не в гигабайтах, как это сегодня привычно. 

Скоро знание о том, как работает флешка займет место в учебниках истории. Ключевым моментом технологии является разработка нано-«островков» из оксида цинка, размещаемой на кремниевой основе. Это позволяет устранить второй элемент, именуемый устройством-переключателем, в роли которого часто выступает диод. Резистивная память обычно характеризуется металл-оксид-металлической структурой. 

Учеными была продемонстрирована альтернатива, сформированная из нано-«островков», материалом для формирования которых является оксид цинка.

inforesist.org


Рейтинг статьи:
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо зайти на сайт под своим именем.
Оставить комментарий
Ваше имя: *
Ваш e-mail: *
Текст комментария:
Полужирный Наклонный текст Подчёркнутый текст Зачёркнутый текст | Выравнивание по левому краю По центру Выравнивание по правому краю | Вставка смайликов Выбор цвета | Скрытый текст Вставка цитаты Преобразовать выбранный текст из транслитерации в кириллицу Вставка спойлера
Код: Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить, если не виден код
Введите код: