Регистрация Войти
Вход на сайт

Samsung запускает производство комплектующих для iPhone 7

8 апреля 2016 04:20
Samsung запускает производство комплектующих для iPhone 7 На этой неделе Samsung объявила, что освоила серийное производство 8-гигабитных микросхем памяти типа DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM с использованием техпроцесса «10-нм класса». Как пишет CNET, данная память является главным претендентом на применение в iPhone следующего поколения, которые будут представлены осенью этого года.

Микросхемам памяти переход на более совершенные технологические процессы нужен для того же, для чего и центральным процессорам: снижения себестоимости производства и энергопотребления, повышения плотности и быстродействия. Samsung применяет технологию 10-нанометрового класса при производстве чипов DDR4 ёмкостью 8 Гбит. На их основе будут выпускаться энергоэффективные модули оперативной памяти, поддерживающие высокую скорость передачи информации (заявлены 3200 Мбит/с).

Надо сказать, что формулировка техпроцесса «10-нм класса» подразумевает, что Samsung может использовать как 10-нм техпроцесс, так и 19-нм техпроцесс – номинально, они относятся к одному «разряду». По некоторым неофициальным данным, использовался 18-нм техпроцесс.

Читайте также: Вблизи Солнечной системы обнаружена блуждающая планета

Samsung признаёт, что прогресс потребовал от компании преодоления некоторых технических барьеров. Например, в условиях отсутствия оборудования для литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), пришлось совершенствовать имеющиеся методы. Погружная литография с применением аргонового лазера, четырёхкратное использование шаблонов и напыление сверхтонкого слоя диэлектрика – вот какие новшества Samsung удалось применить при выпуске микросхем DDR4 по технологии «10-нм класса».

В итоге, выпускаемая память не только увеличила скорость с DDR4-2400 до DDR4-3200, но и снизила уровень энергопотребления на 10-20% по сравнению с аналогичными микросхемами «20-нм поколения».

Samsung является единственным поставщиком оперативной памяти для iPhone 6s и iPhone 6s Plus, в которой реализована технология 20-нанометрового класса.

Источник: macdigger.ru
Рейтинг статьи:
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо зайти на сайт под своим именем.
Оставить комментарий
Ваше имя: *
Ваш e-mail: *
Текст комментария:
Полужирный Наклонный текст Подчёркнутый текст Зачёркнутый текст | Выравнивание по левому краю По центру Выравнивание по правому краю | Вставка смайликов Выбор цвета | Скрытый текст Вставка цитаты Преобразовать выбранный текст из транслитерации в кириллицу Вставка спойлера
Код: Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить, если не виден код
Введите код: